電漿蝕刻（Plasma Etching）是一種利用電漿來蝕刻材料的製程。在這個過程中，使用功率將氣體變成電漿，這個電漿中包含了電子、正離子、和中性粒子。這種高能的電漿被用來刻蝕材料表面，使其發生化學或物理變化，進而達到刻蝕的效果。以下是
電漿蝕刻的一些基本概念：
1. 功率輸入和電漿生成：
- 高頻功率源： 通常使用高頻功率源，如射頻功率，將處於反應室中的氣體置於電場中。
- 電離： 高頻電場將氣體分子電離，產生電子和離子，形成電漿。
2. 電漿特性：
- 高能粒子： 由於電漿中的電子和離子具有高能量，它們能夠碰撞和擊打材料表面。
- 自由基和中性粒子： 電漿還包含一些中性粒子和自由基，這些粒子在化學反應中也起到重要作用。
keywords: match, cap, TCP, Bias, power
Power （功率）的基本名稱與應用
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1主動 （設定值） |
2被動 （控制量） |
備註 |
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功率控制 |
Bias voltage |
Bias forward power |
因機台bias voltage mode |
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功率控制 |
bias voltage |
Series cap position Shunt cap position |
power |
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功率控制 |
TCP forward power |
C1/C3 Cap position |
power |
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功率控制 |
TCCT |
C4/C5 Cap position |
power |
1. Kiyo chamber 關於功率有哪兩個迴路？
答：TCP and Bias.
2. TCP generator 有什麼SVID（會變化參數）？
答：1)TCP RF forward power
2)TCP RF reflected power
3. Bias generator 有什麼SVID（會變化參數）？
答：1)Bias RF forward power
2)Bias RF reflected power
4. TCP Match 有什麼SVID（會變化參數）？
答：1)C1 cap(電容）
2)C3 cap(電容）
3)C4 cap(電容）
4)C5 cap(電容）
5)TCCT： inner current/outer current. 調整coil 內外圈的比例。
5. TCP reflected power 偏高，要檢查迴路的哪部份？
答：1） C1/C3
2）sensor box (power cable 接進match 的地方）
6. TCCT 怎麼調整比例，若有問題可檢查哪裡？
答：1）C4/C5
7. Bias Match 有什麼SVID（會變化參數）？
答：1)Series cap(電容）
2)Shunt cap(電容）
8. Match有何功用？
答：匹配 power. Ideal Power = Forward power + Reflected power
match 透過電容調節，降低Reflected power。
9. Generator 是高頻功率源，高頻是多少？
答：13.56MHz
PS. 這不是教學，純屬DIY筆記。
