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| transducer 參考”相對壓力” |
進一步來探討氣體壓力：
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| Transducer在機台的位置 |
蝕刻（etching）氣體的壓力通常是在真空腔體中控制的。不同的蝕刻氣體可能需要不同的壓力設定，以實現所需的蝕刻效果。一般而言，蝕刻過程中所使用的氣體壓力會以psi（磅力每平方英寸）或Torr（托爾）等單位表示。
在Lam的設備中，大部分蝕刻氣體的壓力設定是40 psi，在實際應用中，建議參考相關的蝕刻設備使用手冊或製造商的建議，以確定最適合特定蝕刻氣體的壓力設定。不同的蝕刻應用可能需要調整壓力和其他參數，以達到最佳的蝕刻效果。
唯獨以下三種比較特別，來源壓力與眾不同，參閱下表
| 氣體 | 來源端壓力（psi） | 備註 |
| SiCl4 | -11.5 | 低壓氣體，並非負壓。 |
| C4F6 | 6 | |
| SO2 | 20 | |
| Others | 40 | 例：O2,Cl2,He…. |
| 大氣壓力 | 14.7 |
